硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。
TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。经过数年研发，目前形成具有高良率、不同深宽比结构、高密度微孔、高导通率的3D封装硅基转接板，可以广泛应用于射频、存储等芯片的三维封装领域。
TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。经过数年研发，目前形成具有高良率、不同深宽比结构、高密度微孔、高导通率的3D封装硅基转接板，可以广泛应用于射频、存储等芯片的三维封装领域。
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